Công nghệ GaN (Gallium Nitride) là việc sử dụng vật liệu bán dẫn tiên tiến GaN thay thế cho silicon trong các thiết bị điện tử công suất cao. Nhờ những ưu điểm vượt trội về khả năng dẫn điện và chịu nhiệt, GaN giúp tạo ra các củ sạc, bộ nguồn có kích thước nhỏ gọn, hiệu suất cao và ít tỏa nhiệt hơn, đồng thời cũng quan trọng trong công nghệ không dây 5G.
Ưu điểm của công nghệ GaN
- Kích thước nhỏ gọn: Các linh kiện dùng GaN có thể giảm kích thước đáng kể, cho phép chế tạo bộ sạc nhỏ hơn nhiều so với sạc truyền thống nhưng vẫn có công suất lớn.
- Hiệu suất cao: Khả năng dẫn điện tốt hơn giúp giảm thất thoát năng lượng, ít tỏa nhiệt hơn và hoạt động ổn định ở tần số cao hơn.
- Sạc nhanh hơn: Với hiệu suất cao, củ sạc GaN có thể cung cấp công suất lên đến 100W hoặc hơn, giúp sạc đầy thiết bị nhanh chóng.
- An toàn hơn: Ít tỏa nhiệt hơn giúp giảm nguy cơ quá nhiệt, nâng cao tuổi thọ của pin và thiết bị.
- Độ bền cao: Khả năng hoạt động ổn định ở nhiệt độ cao giúp củ sạc GaN có độ bền vượt trội.
Ứng dụng của công nghệ GaN
- Sạc nhanh: Là ứng dụng phổ biến nhất hiện nay trên các bộ sạc điện thoại, máy tính bảng và laptop.
- Công nghệ 5G: GaN là vật liệu lý tưởng cho các trạm gốc 5G nhờ khả năng xử lý điện năng cao và tỏa nhiệt thấp ở các tần số cao.
- Các thiết bị khác: Cũng được ứng dụng trong các thiết bị điện tử công suất cao khác như bộ khuếch đại (amplifier) và các linh kiện bán dẫn khác.
